FPC製品
従来のサブトラクティブ工法では厚い銅箔全体をエッチングして回路を形成するため、サイドエッチングによるパターン形状の乱れが課題となっていました。本製品はMSAP工法を採用し、極薄の銅箔シード層上に電解めっきで回路パターンを積み上げた後、シード層のみをフラッシュエッチングで除去することで、最小L/S 30/30μm・精度±5μmの高精度微細配線を実現します。
スマートフォン・ウェアラブル機器・医療機器・車載センサーなど、小型化・高密度実装が求められる幅広い用途に適しています。| 項目 | MSAP | サブトラクティブ |
|---|---|---|
| 最小 L/S | 30 / 30 μm | 50 / 50 μm |
| パターン精度 | ± 5 μm | ± 10 μm（最小値） |
| 導体厚み | 5 ～ 20 μm | 5 ～ 19 μm |
| 基材 | PI | PI、LCP |
| 微細配線適性 | ◎ | △ |
| Step 1 | シード層形成 ポリイミド基材上に極薄銅箔（シード層）を積層 |
|---|---|
| Step 2 | パターンめっき フォトレジストで回路パターンを定義し、電解銅めっきで配線を形成 |
| Step 3 | レジスト剥離 フォトレジストを除去し、めっきパターンとシード層を露出 |
| Step 4 | フラッシュエッチング シード層のみを短時間エッチングで除去し、回路を分離 |
観察条件：光学顕微鏡（倍率 ×100 / ×400）
| 観察項目 | 倍率 | 結果・所見 |
|---|---|---|
| 配線幅（直線部） | ×400 | 約27～28μm（設計値30μm） |
| 配線間隔（スペース） | ×400 | 約52μm、均一な間隔を維持 |
| 曲線部パターン | ×100 | カーブ部でも幅・間隔の均一性を確認 |
| ファンアウト部 | ×100 | ビアからの引出し・パッド形状とも良好 |
| ビア接続部 | ×100 | ビアランドと微細配線の接続に欠陥なし |
| 断面形状 | ×400 | 矩形に近い良好な断面プロファイルを確認 |