山下マテリアル

FPC製品

熱ソルダーレジストインキ
TAINEXシリーズ

タイネックス

製品概要

TAINEX(タイネックス)は、オキツモ株式会社が開発した高耐熱ソルダーレジストインキシリーズです。
汎用ソルダーレジストでは膨れ・剥離が発生する高温環境下において、優れた耐熱性と信頼性を発揮します。

車載用基板、パワーデバイス基板など、高温環境下での長期信頼性が求められる用途に対応します。

主なラインナップ

  • TAINEX HRS-1-7W(シリコーン系 熱硬化型 白色):UV-C耐性・高耐熱性に優れた白色レジスト
  • TAINEX HRS-2-6G(アルカリ現像型 緑色):車載基板向け高耐熱・冷熱サイクル対応の緑色レジスト

技術的特徴

高耐熱性 ― 150℃×1000時間の連続加熱でも性能維持

TAINEXシリーズは、150℃×1000時間の連続加熱試験において膨れ・剥離が発生せず、通常のソルダーレジストでは対応困難な高温環境下で安定した絶縁保護性能を維持します。
HRS-1-7Wでは350℃加熱後でも重量減量率がわずか2%と、極めて優れた熱安定性を示します。

優れた冷熱サイクル性 ― -65℃〜150℃で3000サイクルに耐久

HRS-2-6シリーズは、-65℃⇔150℃の冷熱サイクル試験を3000サイクル実施した後もクラックが発生せず、絶縁膜としての機能を維持します。一般的なレジストインキではクラックが発生し絶縁機能が失われるような過酷な温度変動環境においても、安定した性能を発揮するため、車載用基板をはじめとする高信頼性が求められる用途に最適です。

高い光反射率と耐UV性 ― LED基板に最適な白色レジスト

白色タイプ(HRS-1-7W)は、膜厚30μm以上で光反射率90%以上を実現。HRS-1-7Wはシリコーン樹脂の特性を活かし、深紫外線UV-C(265nm)を2000時間照射した後でも塗膜劣化がほとんどありません、320℃×2分のリフロー相当加熱後でも反射率低下はわずか1%です。

環境対応・低分子シロキサン対策

HRS-1-7Wはシリコーン系でありながら、電気接点障害の原因とされる低分子シロキサン(D4〜D10)が検出されません。電子機器の接点信頼性を損なうことなく、シリコーン樹脂の優れた耐熱性・耐UV性を活用できます。

仕様/スペック

製品ラインナップ一覧

製品名 タイプ 硬度 燃焼性
HRS-1-7W シリコーン系 熱硬化型 白色 2H以上 UL94 V-0相当
HRS-2-6G アルカリ現像型 緑色 5H UL94 V-0相当

塗膜性能

項目 試験方法 HRS-1-7W HRS-2-6G
密着性 JIS K5600-5-6 100/100 100/100
耐溶剤性 IPA 室温5分浸漬 OK OK
耐酸性 10%硫酸 室温30分浸漬 OK OK
耐アルカリ性 5%NaOH 室温5分浸漬 OK OK
耐はんだ性 JIS C6481 260℃×20秒 OK OK
耐熱性 150℃×1000時間 OK
PCT 121℃×9時間 OK OK

※上記試験結果は参考値であり、規格値ではありません。

電気的特性塗膜性能

項目 試験方法 HRS-1-7W HRS-2-6G
表面抵抗 JIS C6481-5-10 1.0×10¹¹Ω 1.0×10¹³Ω
体積抵抗率 JIS C6481-5-9 1.0×10¹³ Ω・cm 1.0×10¹³ Ω・cm
耐電圧 500V×1分通電負荷 OK 破壊なし
比誘電率 JIS C6481 (1MHz) 3.8
誘電正接 JIS C6481 (1MHz) 05

※上記試験結果は参考値であり、規格値ではありません。

試験データ

HRS-1-7W 重量減量率(TG-DTAによる測定)

加熱温度 260℃ 320℃
重量減量率 -0.65% -1.48%

350℃加熱後でも重量減量率はわずか-2.00%。シリコーン樹脂の高い熱安定性を示します。

HRS-1-7W 膜厚別 光反射率(450nm)

膜厚 L値 b値 反射率(450nm)
20〜25μm 92.66 -1.36 88.44%
30〜35μm 94.00 -0.39 90.62%
40〜45μm 95.06 -0.19 92.76%
50〜55μm 95.57 0.56 93.41%

HRS-1-7W 低分子シロキサン含有量測定結果

低分子シロキサン種 濃度 [ppm]
D4 N.D.(10ppm未満)
D5 N.D.(10ppm未満)
D6 N.D.(10ppm未満)
D7 N.D.(10ppm未満)
D8 N.D.(10ppm未満)
D9 N.D.(10ppm未満)
D10 N.D.(10ppm未満)
ΣDn(n=4〜10) N.D.(10ppm未満)

電気接点障害の原因とされる低分子シロキサン(D4〜D10)がすべて検出限界以下であり、接点信頼性に影響を与えません。

HRS-2-6G 冷熱サイクル試験後 絶縁抵抗値

条件 HRS-2-6G
初期値(絶縁抵抗) 1.1×10¹²
85℃/RH85%×1000h (24V負荷) 1.3×10¹¹
-65℃⇔150℃ ×1000サイクル 3.1×10¹¹ 異常なし

※上記試験結果は参考値であり、規格値ではありません。

カタログダウンロード(PDF)

各製品の詳細情報は、下記メーカーページをご参照ください。